SI4931DY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
1366092 Pieces
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especificacións para SI4931DY-T1-E3

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : SI4931DY-T1-E3
fabricante : Vishay Siliconix
descrición : MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 350µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 52nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Potencia: máx : 1.1W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : SI49 , SI4931D

documentos para SI4931DY-T1-E3

follas de datos : SI4931DY-T1-E3.pdf

produtos para SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Número de peza Marca descrición mercar

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