DMJ70H1D3SI3 - MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
688233 Pieces
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especificacións para DMJ70H1D3SI3

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : DMJ70H1D3SI3
fabricante : Diodes Incorporated
descrición : MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 351pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 41W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-251
Paquete / Estuche : TO-251-3 Stub Leads, IPak
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : DMJ7 , DMJ70H

documentos para DMJ70H1D3SI3

follas de datos : DMJ70H1D3SI3.pdf

produtos para DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated

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