FDS2582 - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
1091111 Pieces
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USD 0.29999
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especificacións para FDS2582

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FDS2582
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
serie : PowerTrench®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1290pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOIC
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FD , FDS

documentos para FDS2582

follas de datos : FDS2582.pdf

produtos para FDS2582 ON Semiconductor

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