SI7464DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
677089 Pieces
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especificacións para SI7464DP-T1-GE3

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : SI7464DP-T1-GE3
fabricante : Vishay Siliconix
descrición : MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : SI746 , SI7464D

documentos para SI7464DP-T1-GE3

follas de datos : SI7464DP-T1-GE3.pdf

produtos para SI7464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Número de peza Marca descrición mercar

CDR33BP302AJWSAB

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WX095162WJ15236BJ1

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