BUK9E1R6-30E,127 - MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
45955 Pieces
Prezo de referencia
USD 0
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especificacións para BUK9E1R6-30E,127

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : BUK9E1R6-30E,127
fabricante : NXP USA Inc.
descrición : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
serie : TrenchMOS™
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 113nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 16150pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 349W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK
Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : BUK9E , BUK9E1R6

documentos para BUK9E1R6-30E,127

follas de datos : BUK9E1R6-30E,127.pdf

produtos para BUK9E1R6-30E,127 NXP USA Inc.

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