TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
3756081 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.087145
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especificacións para TSM200N03DPQ33 RGG

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : TSM200N03DPQ33 RGG
fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
descrición : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 345pF @ 25V
Potencia: máx : 20W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PDFN (3x3)
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : TSM200 , TSM200N03

documentos para TSM200N03DPQ33 RGG

follas de datos : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf

produtos para TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Número de peza Marca descrición mercar

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