NP109N055PUK-E1-AY - MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
68064 Pieces
Prezo de referencia
USD 0
noso prezo
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especificacións para NP109N055PUK-E1-AY

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : NP109N055PUK-E1-AY
fabricante : Renesas Electronics America
descrición : MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 110A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 189nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 11250pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operación : 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : NP109N , NP109N055

documentos para NP109N055PUK-E1-AY

follas de datos : NP109N055PUK-E1-AY.pdf

produtos para NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America

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