FQD7N10LTM - MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
2490103 Pieces
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especificacións para FQD7N10LTM

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FQD7N10LTM
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 290pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FQD , FQD7N

documentos para FQD7N10LTM

follas de datos : FQD7N10LTM.pdf

produtos para FQD7N10LTM ON Semiconductor

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