W949D2DBJX5E TR - IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
258587 Pieces
Prezo de referencia
USD 1.40736
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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especificacións para W949D2DBJX5E TR

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : W949D2DBJX5E TR
fabricante : Winbond Electronics
descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño da memoria : 512Mb (16M x 32)
Frecuencia do reloxo : 200MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 5ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 90-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 90-VFBGA (8x13)
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : W949D , W949D2D

documentos para W949D2DBJX5E TR

follas de datos : W949D2DBJX5E TR.pdf

produtos para W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics

Número de peza Marca descrición mercar

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