APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
30090 Pieces
Prezo de referencia
USD 79.04285
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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especificacións para APTM100A13DG

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : APTM100A13DG
fabricante : Microsemi Corporation
descrición : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V (1kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 562nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 15200pF @ 25V
Potencia: máx : 1250W
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP6
Paquete de dispositivos de provedores : SP6
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : APTM , APTM10

documentos para APTM100A13DG

follas de datos : APTM100A13DG.pdf

produtos para APTM100A13DG Microsemi Corporation

Número de peza Marca descrición mercar

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