TPS1100DR - MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
1012130 Pieces
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USD 0.3234
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especificacións para TPS1100DR

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : TPS1100DR
fabricante : T-I
descrición : MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 15V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5.45nC @ 10V
Vgs (máximo) : +2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 791mW (Ta)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOIC
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : TPS , TPS1

documentos para TPS1100DR

follas de datos : TPS1100DR.pdf

produtos para TPS1100DR T-I

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