RQ3E120ATTB - MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
3060533 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.10695
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especificacións para RQ3E120ATTB

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : RQ3E120ATTB
fabricante : Rohm Semiconductor
descrición : MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3200pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : RQ3 , RQ3E1

documentos para RQ3E120ATTB

follas de datos : RQ3E120ATTB.pdf

produtos para RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

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