FDC021N30 - PT8 N 30V/20V MOSFET

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
PT8 N 30V/20V MOSFET
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
5566267 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.058805
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especificacións para FDC021N30

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FDC021N30
fabricante : ON Semiconductor
descrición : PT8 N 30V/20V MOSFET
serie : PowerTrench®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 710pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SuperSOT™-6
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FDC , FDC0

documentos para FDC021N30

follas de datos : FDC021N30.pdf

produtos para FDC021N30 ON Semiconductor

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