HUF75329D3ST - MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
1215956 Pieces
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especificacións para HUF75329D3ST

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : HUF75329D3ST
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
serie : UltraFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 65nC @ 20V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1060pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 128W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252AA
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : HUF7 , HUF753

documentos para HUF75329D3ST

follas de datos : HUF75329D3ST.pdf

produtos para HUF75329D3ST ON Semiconductor

Número de peza Marca descrición mercar

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