IRF8915 - MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
48789 Pieces
Prezo de referencia
USD 0
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especificacións para IRF8915

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : IRF8915
fabricante : Infineon Technologies
descrición : MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
serie : HEXFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 540pF @ 10V
Potencia: máx : 2W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : IR , IRF

documentos para IRF8915

follas de datos : IRF8915.pdf

produtos para IRF8915 Infineon Technologies

Número de peza Marca descrición mercar

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