TSM160N10LCR RLG - MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
1501136 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.21805
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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especificacións para TSM160N10LCR RLG

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : TSM160N10LCR RLG
fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
descrición : MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 46A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4431pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PDFN (5x6)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : TSM16 , TSM160N1

documentos para TSM160N10LCR RLG

follas de datos : TSM160N10LCR RLG.pdf

produtos para TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

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