F1T6G A1G - DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
12141129 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.02696
noso prezo
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especificacións para F1T6G A1G

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : F1T6G A1G
fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
descrición : DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 800V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 500ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : T-18, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : TS-1
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : F1T , F1T6

documentos para F1T6G A1G

follas de datos : F1T6G A1G.pdf

produtos para F1T6G A1G Taiwan Semiconductor Corporation

Número de peza Marca descrición mercar

CDR35BP103BKUSAR

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