FQD2N60CTM-WS - MOSFET N-CH 600V 1.9A

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 600V 1.9A
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
1520918 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.215215
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especificacións para FQD2N60CTM-WS

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FQD2N60CTM-WS
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 600V 1.9A
serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 235pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FQD2 , FQD2N6

documentos para FQD2N60CTM-WS

follas de datos : FQD2N60CTM-WS.pdf

produtos para FQD2N60CTM-WS ON Semiconductor

Número de peza Marca descrición mercar

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