TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
1362879 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.24017
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especificacións para TSM061NA03CV RGG

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : TSM061NA03CV RGG
fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
descrición : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 66A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 19.3nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1136pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 44.6W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PDFN (3x3)
Paquete / Estuche : 8-PowerWDFN
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : TSM06 , TSM061NA

documentos para TSM061NA03CV RGG

follas de datos : TSM061NA03CV RGG.pdf

produtos para TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Número de peza Marca descrición mercar

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