GPAS1001 MNG - DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
2508226 Pieces
Prezo de referencia
USD 0.1305
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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especificacións para GPAS1001 MNG

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : GPAS1001 MNG
fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
descrición : DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 50V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 10A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : GPAS , GPAS10

documentos para GPAS1001 MNG

follas de datos : GPAS1001 MNG.pdf

produtos para GPAS1001 MNG Taiwan Semiconductor Corporation

Número de peza Marca descrición mercar

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WF135250WL50238BJ1

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