R8010ANX - MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
234520 Pieces
Prezo de referencia
USD 1.595
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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especificacións para R8010ANX

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : R8010ANX
fabricante : Rohm Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 800V 10A TO220
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1750pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220FM
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : R8 , R801

documentos para R8010ANX

follas de datos : R8010ANX.pdf

produtos para R8010ANX Rohm Semiconductor

Número de peza Marca descrición mercar

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